VGF PBN Crucible, Pyrolyticus Boron Nitride Crucibilis
VGF principale technologiae pro GaAs et InP semiconductor mixti unius cristalli incrementi in mundo est.
VGF PBN fusorium est vas ideale pro incremento crystalli unius a VGF, etiam late in synthesi polycrystallini processus materiarum suarum.
Alta Munditia (>99.999%)
Non udus cum liquefactum metallum
Scelerisque conductivity moderabilis, cristallum fructum efficaciter emendare
Optimum scelerisque inpulsa resistentia
Facile purgatio et Reusability
Chemice pigra cum acido vel alcali temperatura non reflectitur.
Boyu facultatem habet ad producendos omnes species altae qualitatis VGF PBN uasculas secundum proprias determinationes.Infra catalogum nonnullos e nostris VGF PBN uasis fabricamus:
Catalogue No | Applicationem | Intus Diameter | Altitudo | Crassitudo |
BV-2 | VGF | 2" | 10" | 0.035" |
BV-3 | VGF | 3" | 10" | 0.035" |
BV-4 | VGF | 4" | 8" | 0.035" |
BV-5 | VGF | 5" | 8" | 0.04" |
BV-6 | VGF | 6" | 7" | 0.04" |
BV-8 | VGF | 8" | 20" | 0.08" |
*Haec forma tantum referendi est, aliae magnitudines customizable sunt.
Secundum quid R&D architectus ibi erit pro servitio tuo consultatione, et operam dabimus ut ad requisita tua occurremus.Ita placet liberum contactus nos ad inquirendum.Nos electronicas mittere poteris aut nos ad res parvas vocare.Potes etiam ad negotia nostra per te venire, ut nos ulterius cognoscas.Nos vero optimam scntentiam et post venditionem tibi dabimus.Parati sumus ad firmam amicitiamque cum mercatoribus nostris aedificare.Ad mutuam felicitatem consequendam, operam dabimus ut solidam cooperationem ac opus communicationis luculentum cum sociis nostris edificemus.Ante omnia hic sumus ad accipiendas inquisitiones tuas pro quibuscumque bonis et servitiis nostris.