PG tubum pyrolyticum graphiticum
graphitica pyrolytica in faucium oblinit nozzarum erucae, sphaerae antimagneticae pro satellite habitus potestate, tubus electronicis portae, uascula pro metallis ustionis altae puritatis, perterget pro regulatoribus voltages, emissiones laserarum, materias insulationis pro fornaces calidissimas et epitaxiales. lagana semiconductoris productio.
Non toxicus et insulsa
Ultra alta puritas (99 .99%)
Bona stabilitas, princeps temperatus operating
Bonum conductivity scelerisque, dilatatio coeffi- scelerisque parva.
ciens bonum scelerisque inpulsa resistentia
Bona stabilitas chemica, acidis, alcali, salibus et organo repugnant.
ic menstrua et non infiltrate vel agere cum conflatorio
Valde humilis rate outgassing
Non poros, emissiones aeris boni, machinatio facilis
• OLED Evaporatio punctus fons uasculi;
• Electron jubar prostrati Crucible;
• Ioni trabis implantationem componens;
• Plasma etching components;
• oppugnare oppugnare;
• Erucae COLLIS faucium oblinit;
• Tubus atomicus;
calefacientis • PG.
| Morbi consectetur | Numerical | Unitates | Directio |
| Density | 2.15-2.22 | g/cm3 | - |
| Electrical resistivity | 2×10-4 | Ω·cm | ab |
| 0.6 | Ω·cm | c | |
| Scelerisque conductivity | 382 | W/m°C | ab |
| 2.8 | W/m°C | c | |
| Coefficiens scelerisque expansion (XX ° F) | 0.5 | μm/m-℃ | ab |
| Sublimatio temperatus | 3650 | ℃ | - |
| Distrahentes fortitudo | 80 | MPa | ab |
| vires tendentes | 130 | MPa | ab |
| 116 | MPa | c | |
| Compressive vires | 80 | MPa | ab |
| Yang-style modulus quan | 20 | GPa | ab |
Si quid horum tibi intersit, sciamus.Satiabimur tibi dare sententiam in recepcione singularum specificationum.Peritos nostros R&D fabrum personales sumus ad quodlibet postulatum unum. Nos prompte apparebimus ad recipienda tua percontatione mox ac speramus occasionem habere una vobiscum in futurum cooperandi.Grata est Lorem societatem nostram.
